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NTMFS4943N
TYPICAL CHARACTERISTICS
1800
1600
1400
1200
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
11
10
9
8
7
T J = 25 ° C
QT
1000
6
800
600
400
200
0
0
5
10
C oss
C rss
15
20
25
30
5
4
3
2
1
0
0
Qgs
2
4
Qgd
6
8
10
12
14
V DD = 15 V
V GS = 10 V
I D = 30 A
16 18
20
1000
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
30
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
100
V DD = 15 V
I D = 15 A
V GS = 10 V
t d(off)
t f
25
20
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
t r
15
10
t d(on)
10
5
1
1
10
100
0
0.4
0.5
0.6
0.7
T J = 25 ° C
0.8
0.9
1.0
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
1000
100
10
V GS = 20 V
Single Pulse
T C = 25 ° C
100 m s
1 ms
35
30
25
20
15
I D = 25 A
1
R DS(on) Limit
Thermal Limit
10 ms
dc
10
5
0.1
Package Limit
0.1
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
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